长鑫存储公开“存储器的制造方法和存储器”专利

集微网消息，天眼查显示，长鑫存储技术有限公司近日新增多条专利信息，其中一条名称为“存储器的制造方法和存储器”，公开号为CN114242659A。

专利摘要显示，本发明实施例提供一种存储器的制造方法和存储器，存储器的制造方法包括：提供基底以及位线接触层；在位线接触层的顶部形成伪位线结构；在伪位线结构的侧壁及位线接触层的侧壁形成间隔层；在间隔层的侧壁形成介质层；形成填充相邻伪位线结构之间的区域的牺牲层，且牺牲层覆盖介质层的侧壁；在形成牺牲层之后，去除伪位线结构，形成露出位线接触层的通孔；形成填充通孔且覆盖位线接触层的位线导电部；形成位线导电部后，去除间隔层，形成介质层和位线导电部之间的间隙。本发明实施例中位线导电部与介质层之间具有间隙，能够降低寄生电容，提高存储器的运行速度，降低存储器的功耗。

（校对/Yuki）