美光/SK海力士步步进逼 三星拟转攻1c DRAM计划6月开发完成

集微网消息 近日,据韩媒BusinessKorea报导,三星电子计划在今年6月前完成11纳米制程第六代1cDRAM的开发,在美光(MU-US)、SK海力士加速追赶之际,力拼保持产业龙头地位。
三星近期通知公司内部半导体研究人员,公司决定跳过并放弃12纳米制程1b DRAM的开发。 先前传出三星1b遇到研发障碍,可能修改产品轨道与战略。
三星决定放弃1b DRAM后,立即加速1cDRAM的开发,若1c今年能亮相,可望拉开与美光、SK海力士等竞争对手的技术差距。
三星现阶段正面临必须抢先开发出 1c DRAM 的压力,因为 1a (1-alpha) DRAM 开放进度已落后美光,美光目前 1a (1-alpha) DRAM 已进入量产阶段。
三星过去也曾放弃28纳米DRAM开发与量产,瞄准25纳米DRAM,不过,随着制程工艺进入10纳米阶段,三星要在先进制程中复制过去模式恐有难度。
业内专家认为,对三星来说,生产 11 纳米 DRAM 并不是一件容易的事,因为这需要先进的技术。然而,据 BusinessKorea 报道,三星希望找到一种方法,该公司在 1c DRAM 完成之前面临着巨大的开发压力,因为其在 1a DRAM 的量产方面落后于其两个竞争对手。
据了解,2021年,三星电子的 DRAM 部门遭遇了不少挫折。在那之后,中国西安的封锁也有可能破坏其部分设施。尽管如此,它在 2022 年第一季度仍实现了创纪录的利润。
韩联社的一份报告称,三星电子的 DRAM 部门可能带来 13.89 万亿韩元(113 亿美元)的利润,比去年增长 38% 以上。同样,其销售额预测约为75.2万亿韩元,比去年高出15.02%。
三星的主要竞争对手 SK 海力士的季度销售额可能超过 3.1 万亿韩元和 11.6 万亿韩元。虽然这个数字与三星相比相形见绌,但这是 SK 海力士第一次创造了超过 10 万亿韩元的销售额。
然而,对于两家 DRAM 芯片制造商来说,前进的道路可能会崎岖不平。氖气是制造易失性(和非易失性)存储器所需的关键部件,由于乌克兰持续的冲突,它供应了全球约 70% 的供应,因此很快就会出现供应短缺。
虽然这可能会在未来几个月内削弱三星的利润,但 DDR5 内存可以帮助它弥补部分损失。一旦英特尔和 AMD 推出基于 Raptor Lake 和 Zen4 的新处理器,它的需求就会猛增,这两种处理器都将把 DDR5 带入主流。(校对/LL)
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